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選用防爆攝像機芯片的一般要素有哪些?

瀏覽:128 發表時間:2020-10-19 15:57:22

  目前防爆攝像機燈主要有三種制作方式:一:鹵素燈,二:多芯片LED,三:單芯片LED。就這三個制作方式,強美科技為大家簡單介紹一下他們的原理及不同。

  1、鹵素燈能耗高,發熱量大,是傳統市場上應用的紅外燈,應用壽命較短,所以很難適宜防爆攝像機配套應用。

  2、多芯片LED也有兩種情勢,一種是蘊含4到8顆芯片;另外一種是陣列式發光片,含有10到30顆芯片。為什么做多芯片呢?潛在的實際是:紅外燈照射間隔不夠是因為能量不夠,更多的芯片聚攏在一起,當然能量就大,這樣的話通常照射間隔更遠。這個假如能保障紅外燈的光芒的接收率,是對的,但是在接收率不能保障的前提下,再多的紅外燈芯片只會造成運行溫渡過高而影響壽命,并不能真正改良紅外燈照射的間隔。

  總體來說,多芯片的紅外攝像機在性能方面還是一個普通的鹵素燈,但是多芯片LED因其結構上的固有缺陷沒有發光焦點,發光光學系統不合理,有用光效率也對照低。比方陣列式LED,電流高達1000mA以上,根底只是一分錢硬幣大小,散熱就成為一個問題。而咱們做技術的都知道,LED最怕的就是高熱啊,熱度一高不壞都難呀。同時,多芯片LED的生產要求非常嚴厲,每顆芯片都不能有性能上的一點差別,否則一顆芯片壞掉的話傷害的是整體芯片LED的整體??傮w而言,應用在防爆紅外攝像機上面,現有的多芯片技術LED的壽命是遠遠不夠。

  3、單芯片LED生產工藝簡略,品質容易保障、發熱量低、發光光學系統合理,是做防爆紅外攝像機紅外燈理想的器件,實際上應用壽命可達10萬小時以上。所以自然在技術上就偏向單芯片了。但是單芯片的紅外燈還是有很多制約的因素,比如說有的LED芯片級別很低,雜質超標;有的生產工藝不過關,有漏電現象;有的超功率應用,額定20mA,卻應用50mA以上;有的沒有維護電路,或電路設計不合理,這些都會導致單芯片LED紅外燈快速壞掉。


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